2019.12—至今，中国科学院物理研究所，博士生导师，副研究员
2016.10—2017.01，美国布朗大学和美国普渡大学，高级访问学者
2013.09—至今，中国科学院物理研究所，副研究员
2012.04—2013.08，美国爱荷华州立大学电子与计算机工程系，博士后
2009.01—2012.03, 美国南卡罗莱那大学机械工程系，博士后

  主要从事低维纳米体系的构筑、物性及电子器件研究:
 1. 低维纳米体系的电子输运行为及其调控；
 2. 基于低维纳米体系的逻辑、存储、光电等信息器件的构筑及其物理。


   1. L. H. Bao, L. Huang, H. Guo, H. –J. Gao^*, “Construction and physical properties of low-dimensional structures for nanoscale electronic devices”, Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 9082 (2022) (Invited Review)
2. Z. Zhou^#, X. X. Zhao^#, L. M. Wu, H. T. Liu, J. C. Chen, C. Y. Xi, Z. S. Wang, E. K. Liu, W. Zhou^*, S. J. Pennycook, S. T. Pantelides, X. –G. Zhang^*, L. H. Bao^*, H. –J. Gao, “Dimensional crossover in self-intercalated antiferromagnetic V₅S₈ nanoflakes”, Phys. Rev. B 105, 235433 (2022).
3. L. Liu, H. Wang, Q. L. Wu, K. Wu, Y. Tian, H. T. Yang, C. M. Shen, L. H. Bao, Z. H. Qin, H. –J. Gao, “Ferroelectric-gated ReS₂ field-effect transistors for nonvolatile memory”, Nano Res. 15, 5443-5449 (2022)
4. L. M. Wu^#, A. W. Wang^#, J. A. Shi^#, J. H. Yan^#, Z. Zhou, C. Bian, J. J. Ma, R. S. Ma, H. T. Liu, J. C. Chen, Y. Huan, W. Zhou, L. H. Bao^*, M. Ouyang, S. J. Pennycook, S. T. Pantelides, H. -J. Gao, "Atomically sharp interface enabled ultrahigh-speed non-volatile memory devices", Nat. Nanotechnol. 16, 882 (2021).
5. L. J. Meng^#, Z. Zhou^#, M. Q. Xu^#, S. Q. Yang^#, K. P. Si, L. X. Liu, X. G. Wang, H. N. Jiang, B. X. Li, P. X. Qin, P. Zhang, J. L. Wang, Z. Q. Liu, P. Z. Tang, Y. Ye^*, W. Zhou^*, L. H. Bao^*, H. –J. Gao, Y. J. Gong^*, “Anomalous thickness dependence of Cuire temperature in air-stable two-dimensional ferromagnetic 1T-CrTe₂ grown by chemical vapor deposition”, Nat. Commun. 12, 809 (2021).
6. J. C. Chen, Z. Zhou, H. T. Liu, C. Bian, Y. T. Zou, Z. Y. Wang, Z. Zhao, K. Wu, H. T. Yang, C. M. Shen, Z. G. Cheng, L. H. Bao, H. –J. Gao, “One-dimensional weak antilocalization effect in 1T'-MoTe₂ nanowires grown by chemical vapor deposition”,
J. Phys. Condens. Matter 33, 185701 (2021)
7. L. Liu, L. M. Wu, A. W. Wang, H. T. Liu, R. S. Ma, K. Wu, J. C. Chen, Z. Zhou, Y. Tian, H. T. Yang, C. M. Shen, L. H. Bao^*, Z. H. Qin^*, S. T. Pantelides, H. –J. Gao, “Ferroelectric-gated InSe photodetectors with high on/off ratios and photoresponsivity”, Nano Lett. 20, 6666-6673 (2020).
8. H. Guo^#, X. Y. Wang^#, L. Huang^#, X. Jin, Z. Z. Yang, Z. Zhou, H. Hu, Y. –Y. Zhang, H. L. Lu, Q. H. Zhang, C. M. Shen, X. Lin, L. Gu, Q. Dai, L. H. Bao^*, S. X. Du^*, W. Hofer, S. T. Pantelides, H. –J. Gao^*, “Insulating SiO₂ under centimeter-scale, single-crystal graphene enables electronic-device fabrication”, Nano Lett. 20, 8584-8591 (2020).
9. L. M. Wu, J. A. Shi, Z. Zhou, J. H. Yan, A. W. Wang, C. Bian, J. J. Ma, R. S. Ma, H. T. Liu, J. C. Chen, Y. Huang, W. Zhou^*, L. H. Bao^*, M. Ouyang, S. T. Pantelides, H. –J. Gao, “InSe/hBN/graphite heterostructure for high-performance 2D electronics and flexible electronics”, Nano Res. 13, 1127-1132 (2020).
10. Y. Huang^#, Y. H. Pan^#, R. Yang^#, L. H. Bao, L. Meng, H. L. Luo, Y. Q. Cai, G. D. Liu, W. J. Zhao, Z. Zhou, L. M. Wu, Z. L. Zhu, M. Huang, L. W. Liu, L. Liu, P. Cheng, K. H. Wu, S. B. Tian, C. Z. Gu, Y. G. Shi, Y. F. Guo, Z. G. Cheng, J. P. Hu, L. Zhao, G. H. Yang, E. Sutter, P. Sutter^*, Y. L. Wang, W. Ji^*, X. J. Zhou, H. –J. Gao^*, “Universal mechanical exfoliation of large-area 2D crystals”, Nat. Commun. 11 2453 (2020).
11. H. T. Liu, Y. Z. Xue, J. A. Shi, Roger A. Guzman, P. P. Zhang, Z. Zhou, Y. G. He, C. Bian, L. M. Wu, R. S. Ma, J. C. Chen, J. H. Yan, H. T. Yang, C. M. Shen, W. Zhou, L. H. Bao^*, and H. –J. Gao, “Observation of the Kondo Effect in Multilayer Sing-Crystalline VTe₂ Nanoplates”, Nano Lett. 19, 8572-8590 (2019).
12. H. T. Liu,^# L. H. Bao,^{#, *} Z. Zhou, B. Y. Che, R. Z. Zhang, C. Bian, R. S. Ma, L. M. Wu, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, C. M. Shen, S. X. Du, and H. –J. Gao, “Quasi-2D Transport and Weak Antilocalization Effect in Few-Layered VSe₂”, Nano Lett. 19, 4551-4559 (2019).
13. R. S. Ma, J. J. Ma, J. H. Yan, L. M. Wu, H. T. Liu, W. Guo, S. Wang, Q. Huan, X. Lin, L. H. Bao, “Direct probing of imperfection-induced electrical degradation in millimeter-scale graphene on SiO₂ substrates”, 2D Mater. 6, 045033 (2019)
14. G. Li, L. Z. Zhang,W. Y. Xu, J. B. Pan, S. R. Song, Y. Zhang, H. T. Zhou, Y. L. Wang, L. H. Bao, Y.-Y.Zhang, S. X. Du^*, M. Ouyang, S. T. Pantelides, and H. –J. Gao^*, “Stable Silicene in Graphene/Silicene Van der Waals Heterostructures”, Adv. Mater. 30, 1804650 (2018).
15. G. C. Wang, L. M. Wu, J. H. Yan, Z. Zhou, R. S. Ma, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, L. H. Bao^*, S. X. Du, H. –J. Gao, “Intrinsic charge transport behaviors in graphene-black phosphorus van der Waals heterojunction devices”, Chin. Phys. B, 27, 077303 (2018)
16. R. S. Ma, Q. Huan, L. M. Wu, J. H. Yan, W. Guo, Y. -Y. Zhang, S. Wang, L. H. Bao*, Y. Q. Liu, S. X. Du, S. T. Pantelides,  and H. -J. Gao^*, “Direct measurement of grain boundary resistivity and mobility in millimeter-sized graphene”Nano Lett. 17, 5291-5296 (2017).
17. G.C. Wang^#, L. H. Bao^#,*, R.S. Ma, T.F. Pei, Y.Y. Zhang, L.M. Wu, Z. Zhou, H.F. Yang, J.J. Li, C.Z. Gu, S.X. Du, S.T. Pantelides, H. –J. Gao, “From bidirectional rectifier to polarity-controllable transistor in black phosphorus by dual gate modulation”, 2D Mater. 4, 025056 (2017)
18. G. C. Wang^#, L. H. Bao^#, T. F. Pei, R. S. Ma, Y. -Y. Zhang, L. L. Sun, G. Y. Zhang, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, S. T. Pantelides^*, R. D. Schrimpf, S. X. Du, and H. -J. Gao^*, “Introduction of Interfacial Charges to Black Phosphorus for a Family of Planar Devices”, Nano Lett. 16, 6870-6878 (2016).
19. T. F. Pei, L. H. Bao*, R. S. Ma, S. R. Song, B. H. Ge, L. M. Wu, Z. Zhou, G. C. Wang, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, C. M. Shen, S. X. Du, and H.-J. Gao*, “Epitaxial of Ultrathin SnSe Crystal on Polydimethylsiloxane: In-plan Electrical Anisotropy and Gate-tunable Thermopower”, Adv. Electronic Mater., 1600292 (2016).
20. T. F. Pei, L. H. Bao^*, G. C. Wang, R. S. Ma, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, S. T. Pantelides, S. X. Du, and H.-J. Gao, “Few-layer SnSe₂ Transistors with high on/off ratios”, Appl. Phys. Lett. 108, 053506 (2016).